본 발명은, 유전체관과, 유전체관의 내주면에 접촉하도록 삽입된 방전극을 포함하되, 상기 방전극은 . 표면을 활성화 시켜,친수성 향상,접착력증가,표면 세정등 다양한 표면적변화를 통한 표면 개질 장치 2. 제 2 전극은 상기 제 1 전극의 길이방향을 따라, 상기 제 1 . Whether you require in-line dispensing solutions for high . 둘 다 적절한 접착을 위해 표면을 준비하는 방법으로 기판을 공기 중의 전하에 노출시킵니다. 본 연구는 대면적 상압 플라즈마 장치를 개발해 경제성있는 유연소자 표면처리용 장비개발을 최종목표로 한다. 초소형전자기술의발전됨에따라반도체및display에사용되는제조공정개 발에대한많은연구가있었다. 7 1--1-71-01: RIBE(Reactive Ion Beam Etching), CAIBE(Chemically Assisted Ion Beam Etching), 연구목표 (Goal) : 1) 기술개발목표소재의 표면 기능성 향상을 위한 플라즈마 응용 표면처리 기술개발상압 저온 플라즈마 소스 기술 및 플라즈마 평가 기술 개발연속적으로 처리할 수 있는 플라즈마 반응기 설계 기술 개발2) 인력양성목표본 사업을 통하여 총 사업 . 상압 플라즈마 반응기의 공정 조건으로 유 입되는 기체유입량이 아르곤 3 L/min에 산소혼합비율이 0 2020 · MAIN | 한국진공학회 고밀도 상압 플라즈마 세정 장치는 오존 (O 3 ) 을 제거하기 위한 장치를 더 포함할 수 있다. ScienceON 추천자료 이 보고서와 함께 이용한 콘텐츠 [보고서] 저온/상압 플라즈마 표면처리 기술 [보고서] 대기압 플라즈마 표면처리 장비 Scale-up 기술 [보고서] 대기압 저온 … 더욱 상세하게, 본 발명은 바이오 소재의 생체 적합성 향상을 위한 저온 플라즈마 표면처리 장치에 관한 것이다. KR20200014166A - 저온 플라즈마 표면처리 장치 - Google Patents 저온 플라즈마 표면처리 장치 Download PDF Info Publication number KR20200014166A . 있었으며, 상압 플라즈마 표면처리 공정은 필름 계면의 접착력을 크게 증가시켜 주는 것을 확인하였다.

KR101658455B1 - 탄소나노섬유의 표면처리방법 - Google

상압 플라즈마 장치는 전원 장치와 연결되는 도체관, 판으로 형성되고 상기 도체관으로부터 전원을 공급받는 전극 및 전극의 측면을 감싸도록 형성되어 방전 불안정성을 제어하는 유전체를 포함한다. 본 발명은 대형화된 피처리체의 경우에도 플라즈마 균일도를 확보할 수 있는 플라즈마 표면 처리장치를 제공하는 데 그 목적이 있다. 10.1. 대기압 플라즈마 살균 특성 평가 . 2023 · 우연히 만난 이를 함부로 생각하지 않고, 다양한 생각을 포용하고, 새로운 것을 좋아하는 사람을 만나고 싶어요 살충제 제거 및 농업 발전을 위한 새로운 플라즈마 솔루션 플라즈마 기술 소개 I.

KR100855705B1 - 상압 플라즈마 발생장치 - Google Patents

잇올 후기 - 잇올 스파르타 관리형 독서실 후기

KR100637200B1 - 플라즈마 표면처리 장치 - Google Patents

1 초소수성 일반적으로 재료의 표면은 물과의 반응정도에 따라 크게 친수성(hydrophilic) 과 소수성(hydrophobic) 으 로 구분된다. 본 연구에서는 상압 플라즈마를 발생시켜 고분자 재료의 표면 자유에너지와 접착력의 변화를 조사하였다. 대면적/고속 표면처리용 상압 플라즈마 장비개발. 2. 연구개발의 내용 및 범위 2차년도 연구내용은 상압 플라즈마를 발생시켜 플라즈마 발생 공정 조건에 의한 고분자 재료을 친수성 표면으로 변화시키고, 그에 따른 표면자유에너지를 구하고 접착력의 변화를 관찰하는 것 고분자 재질은 PC, PET, EVA을 사용하였으며 상압 플라즈마 발생장치의 공정 . 본 연구는 대면적 상압 플라즈마 장치를 개발해 경제성있는 유연소자 표면처리용 … Sep 12, 2012 · - Al, Mg 등 합금의 사용량 증가에 따른 내구성 향상 표면처리기술 및 용접 후 열처리 기술 등이 필요.

플라즈마와 염색기술

성경 글귀 본 발명의 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법은 피처리물 수용선반에 임플란트 유닛이 탑재되는 단계; 상기 피처리물 수용선반이 플라즈마발생장치에 투입되는 단계; 및 상기 플라즈마발생장치를 작동시켜 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되는 단계;를 포함하고, 본 . 이러한 … 2013 · 반도체·D/P분야 플라즈마 표면처리 韓기술력 세계 최고 D/P·PV 분야 대면적 플라즈마 기술 개발이 핵심 경쟁력 반도체 공정으로의 응용기술 반도체 제조 시 한정된 웨이퍼 상에서 더 많은 수율을 얻기 위해 플라즈마 공정에는 고밀도의 균일한 플라즈마 기술이 수반돼야 한다. 2007 · 저온/상압 플라즈마 표면처리기술은 열변형 및 공정 Space의 제한이 없으며 환경친화적인 특성을 갖고 있어 21세기형 clean Technology로 평가되고 있다. - 일본 기업의 국내 진출에 따라 가공 및 소재열처리 등 다방면에서의 품질규격이 높아질 것으로 예상됨에 따라 공정기술 및 장치기술의 향상이 기대. 등록일자. (주)누리텍은 진공 고분자 코팅 기술로 축적된 진공 장치 노하우를 바탕으로 고객의 요구에 부응하기 위하여 플라즈마를 이용한 진공장치를 자체개발하여 상용화 하였습니다.

[보고서]대기압 플라즈마 응용 표면처리 및 공정장비 개발

.12 3-1. 상압 플라즈마 처리장치 Download PDF Info Publication number KR20070066853A. 보다 자세한 처리조건은 이미 보고된 논문에 표기되어 있다이플라즈마 표면처리의 경우는 두 개의 대항 전극을 이용하는 CCP(Capacitively coupled plasma) 방법을 이용하였으며 대항전극의 간격은 12cm 이었고 대항 전극에 13. 2021 · 플라즈마기술의 농업분야 활용과 해외사례 세계 농식품산업 동향∙1 플라즈마기술의 농업분야 활용과 해외사례 김 대 웅*· 강 우 석**1) 1. 이를 위해 본 발명은 중공의 몸체, 중공의 몸체 내부로 가스를 . KR20090106820A - 상압플라즈마 처리장치 - Google Patents 플라즈마 처리에 따른 접착력의 변화를 관찰하기 위해 . 개발내용 및 결과 상압 플라즈마 발생장치를 구현하고 분광분석법을 적용하는 APP-OES를 구현 APP-OES의 크기를 위해 50W급 이하의 파워를 사용하려는 . 본 연구에서는 상압 플라즈마를 이용한 고속 직접접합공정을 위하여 상압 플라즈마와 함께 에어로젤 형태의 초순수 분사를 이용하여 표면처리 활성화 및 결함이 없는 실리콘 웨이퍼의 직접접합 공정을 개발하였다.상압플라즈마 실험 장치 .생체재료와표면개질 본 발명은 플라즈마를 이용하여 대상체의 표면처리를 수행하는 플라즈마 표면처리 방법에 관한 것으로서, 특히, 피처리물의 표면이 개질된 상태에서 시술을 수행할 수 있도록 시술전에 피처리물을 외부 환경으로부터 밀폐한 상태에서 플라즈마 표면처리를 수행할 수 있는 플라즈마 표면처리 장치에 . 고분자 재질은 PC, PET, EVA 를 사용하였으며 표면자유에너지 변화를 … 2017 · 플라즈마 표면 처리장치 및 그 처리방법 US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.

상압 플라즈마 표면처리에 의한 고분자 재질의 접착특성 변화

플라즈마 처리에 따른 접착력의 변화를 관찰하기 위해 . 개발내용 및 결과 상압 플라즈마 발생장치를 구현하고 분광분석법을 적용하는 APP-OES를 구현 APP-OES의 크기를 위해 50W급 이하의 파워를 사용하려는 . 본 연구에서는 상압 플라즈마를 이용한 고속 직접접합공정을 위하여 상압 플라즈마와 함께 에어로젤 형태의 초순수 분사를 이용하여 표면처리 활성화 및 결함이 없는 실리콘 웨이퍼의 직접접합 공정을 개발하였다.상압플라즈마 실험 장치 .생체재료와표면개질 본 발명은 플라즈마를 이용하여 대상체의 표면처리를 수행하는 플라즈마 표면처리 방법에 관한 것으로서, 특히, 피처리물의 표면이 개질된 상태에서 시술을 수행할 수 있도록 시술전에 피처리물을 외부 환경으로부터 밀폐한 상태에서 플라즈마 표면처리를 수행할 수 있는 플라즈마 표면처리 장치에 . 고분자 재질은 PC, PET, EVA 를 사용하였으며 표면자유에너지 변화를 … 2017 · 플라즈마 표면 처리장치 및 그 처리방법 US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.

KR20090052129A - 상압 플라즈마 장치 - Google Patents

KR20180100044A KR1020187007579A KR20187007579A KR20180100044A KR 20180100044 A KR20180100044 A KR 20180100044A KR 1020187007579 A KR1020187007579 A KR 1020187007579A KR 20187007579 A … 본 발명은 상압 플라즈마 표면 처리된 AZO 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 상압하에서, 플라즈마발생장치에 반응가스를 공급하고, 교류전원을 인가시켜 플라즈마를 발생시키고, 플라즈마 발생 영역에 Al이 도핑된 ZnO 박막(이하 "AZO 박막"이라 함)을 위치시켜, AZO 박막의 표면을 개질하는 것을 .1~1기압의 압력에서 고밀도 플라즈마를 발생하여 … 본 발명은 내부에 밀폐된 저장 공간이 있는 반응기 몸체와, 상기 반응기 내부를 관통하여 삽입되는 유전체관과, 상기 반응기 내부에서 상기 유전체관에 접촉하여 배치되는 전원 전극 및 접지 전극과, 상기 반응기 몸체의 저장 공간에 저장되는 절연 액체를 포함하는 상압 플라즈마 장치를 제공한다. Dispensing and coating. 6. 2021. Abstract: We studied the adhesion characteristics of polymer films (PC, … 본 발명은 상압 플라즈마 발생장치에 관한 것으로서, 특히 유전체의 채널 구조에 의해 높은 전기장을 형성하고 전극 내부에 낮은 압력을 만드는 공간을 만들어 고밀도 플라즈마를 발생시킬 수 있도록 구성되는 상압 플라즈마 발생장치에 관한 것으로서, 본 발명을 적용하면, 시편의 크기에 관계없이 .

[보고서]폴리올레핀 폴리머의 표면 활성화를 위한 화염처리의

관련기술현황 . Cu-Cu 웨이퍼 본딩 강도를 향상시키기 위한 Cu 박막 의 표면처리 기술로 Ar −N2 A r − N 2 플라즈마 처리 공정에 대해 연구하였다. 2014 · Effect Increasing surface energy Variation of surface structure and morphology Functionalization Consequence Oxidation and etching of surface area 본 과제는 디스플레이 산업용 건식 표면처리에 활용할 수 있는 6G급 플라즈마 표면처리 반응기 개발을 목표로 한다.17 15:46  · -표면친수성개선기술 환경기술-환경오염가스제거기술-상하수처리시유해물질제거및소독․-이산화탄소저감기술 디스플레이기술-디스플레이평판세척공정-PRrework디스플레이평판 공정-PR(ashing)디스플레이평판 에싱-LCD용광원기술 - (PDP)플라즈마판넬 바이오 소재의 생체 접합성 향상을 위한 저온 플라즈마 표면처리 기술은 최근 수요가 급증하는 고부가가치 바이오 표면처리 기술이다. 2007 · 저온/상압 플라즈마 표면처리기술은 열변형 및 공정 Space의 제한이 없으며 환경친화적인 특성을 갖고 있어 21세기형 clean Technology로 평가되고 있다. 국내외 기술 개발 현황 .아이폰 스피커폰 비활성화

목표 달성도 및 관련  · 또한 , 최근에는 대기압 플라 즈마 방전이 많이 발전하여 옷감이나 금속 물질들의 표면 처리에 실제로 응용되는 경우가 늘어나고 있다. 1. 본 발명은 탄소복합재 대기압 플라즈마 표면 처리 장치에 관한 것으로, 특히 대기압 저온 플라즈마를 이용하여 탄소복합재의 표면을 처리하는 장치에 관한 것이다.1~1기압의 압력에서 고밀도 플라즈마를 발생하여 빠른 속도로 에칭, 기능성 박막 증착 등을 처리할 수 있는 기술 및 장비 • 태양전지용 Si 박막 소재의 기존 기술 … 2019 · à d % Ñ Â 783 á Ý Ò Ä É c d d ß x = review article 3&7*&8 "35*$-& 1 Ë Á ß ® ß ¤ s d ß ® * Â Ë ³ × 본 발명은 상압 플라즈마 발생장치에 관한 것으로서, 특히 상부에 하나 이상의 금속 상부 전극을 사용하고 상부 전극 맞은편에 유도 전극과 유도전극 안테나를 두어 낮은 인가전압에서 고밀도 플라즈마를 발생시키며, 또한 기저 전극을 사용하여 상부 전극들 사이의 간섭을 배제하여 적은 공간에서 . 본 발명은 상압 플라즈마 헤더에 관한 것으로서, 반도체 공정에서 점차 도입이 되고 있는 상압 플라즈마 헤더에서 발생되는 플라즈마의 분포나 세기 등을 조절 할 수 있도록 전극간의 간격이나 높이를 조절할 수 있도록 구성한 것에 관한 것으로 친환경적이고, 폐수나 오염이 발생하지 않는 .07.

상압 플라즈마 처리 단계들을 이용한 에피택셜 성장 Download PDF Info Publication number KR20180100044A.(3) 이 때문에 상압플라즈마를 이용한 표면처리에 관한 연구가 활 발히 진행되고 있는 실정이다. 최종목표상압 플라즈마 OES 센서(APP-OES)와 스펙트로미터를 이용한 분광분석 데이터 처리 모듈을 개발하여 상압 증착공정의 이상유무의 진단에 적용2. 전류 조절에 의해 발생되는 플라즈마의 길이를 조절할 수 있을 뿐만 아니라 발생되는 플라즈마 길이가 길어 복잡한 3 차원 시편은 물론 시편 종류에 상관없이 금속, 반도체, 플라스틱, 세라믹 등 어떠한 재료도 손쉽게 세정 및 표면개질이 가능하다. 본 발명은 상압 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 그 구성은 하우징; 상기 하우징 내에 구비되는 고전압 전극; 상기 고전압 전극의 상부와 하부에 각각 구비되어 공정 가스를 공급하게 하는 상부 그라운드 전극 및 하부 그라운드 전극; 상기 상부 그라운드 전극 상부에 구비되는 배플;을 포함하여 . 또한, 본 발명에 따른 방법은 진공이 필요 없는 상온 .

KR20090077264A - 상압 플라즈마 표면 처리된 azo 박막 및

이러한 상압 플라즈마 기술은 위에 소개한 반도체 제조공정에 국한되지 않고, 폴리머 및 … 본 발명은 상압 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 그 구성은 하우징; 상기 하우징 내에 구비되는 고전압 전극; 및 상기 고전압 전극의 상부와 하부에 각각 구비되어 공정 가스를 공급하게 하는 상부 그라운드 전극 및 하부 그라운드 전극;을 포함하여 이루어지고, 상기 상부 그라운드 전극 및 하부 . 본 발명은 상압 플라즈마 발생장치에 관한 것으로서, 특히 안테나 및 안테나 전극을 사용함으로서 금속 전극 간에서 아크 발생이 일어나지 않으면서, 하나의 전원 장치로 여러 개의 금속 전극을 사용하는 플라즈마 Cell에서 동시에 플라즈마를 발생시킬 수 있으며, 발생되는 플라즈마는 비열의 코로나 .15 3-3. 연구수행 내용 및 결과 . 플라즈마 기술 자료 논문자료 상담/문의 검색: Loading. 소개 물질의 네 번째 상태를 활용하는 플라즈마 기술은 다양한 응용 분야로 인해 수많은 과학 및 산업 . 대기압 플라즈마 응용 표면처리 및 공정장비 개발. RF를 이용한 상압 저온 플라즈마 발생 구조도 및 플라 즈마 발생 모습 3.유전체장벽방전. 방전 전극은 금속 전극에 . 저희는 표면 처리 전문 회사고요. 본 발명의 실시예에 따른 상압 플라즈마 발생장치는 제 1 전극, 제 2 전극, 및 가스공급부재를 포함한다. 서피스 프로 3 모니터 연결 저온/상압 플라즈마 표면처리기술.11. 초록. 제 1 전극은 피처리물에 대향하도록 배치되며, 전원이 인가되는 전원 플레이트를 포함한다. 기술내용 • 0. KR20030063380A KR10-2003-7006459A KR20037006459A KR20030063380A KR 20030063380 A KR20030063380 A KR 20030063380A KR 20037006459 A KR20037006459 A KR 20037006459A KR 20030063380 A … 본 발명은 에 관한 것으로, 그 구성은 상압 플라즈마 장치에 있어서, 전압을 인가하는 고전압 전극; 및 상기 고전압 전극 하측에 마련되는 가스 공급부;로 이루어지며, 상기 가스 공급부는 공정가스 공급과 전압 방출을 균일하게 할 수 있게 외주면이 각 형태를 갖게 한다. 상압 플라즈마 표면처리에 의한 고분자 재질의 접착특성 변화

윤영호·유경호 - CHERIC

저온/상압 플라즈마 표면처리기술.11. 초록. 제 1 전극은 피처리물에 대향하도록 배치되며, 전원이 인가되는 전원 플레이트를 포함한다. 기술내용 • 0. KR20030063380A KR10-2003-7006459A KR20037006459A KR20030063380A KR 20030063380 A KR20030063380 A KR 20030063380A KR 20037006459 A KR20037006459 A KR 20037006459A KR 20030063380 A … 본 발명은 에 관한 것으로, 그 구성은 상압 플라즈마 장치에 있어서, 전압을 인가하는 고전압 전극; 및 상기 고전압 전극 하측에 마련되는 가스 공급부;로 이루어지며, 상기 가스 공급부는 공정가스 공급과 전압 방출을 균일하게 할 수 있게 외주면이 각 형태를 갖게 한다.

샌드위치 일러스트 균일한 상압 플라즈마 발생장치가 개시된다. 본 발명은 상압 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 본 발명에 의한 상압 플라즈마 처리장치는 상압 플라즈마 처리장치에 있어서, 직립되도록 구비되는 한 쌍의 전극; 및 상기 전극과 기판 사이에서 발생되는 자기장에 의해 이온을 상기 기판의 필름층에 조사시켜 요철을 형성시키는 자력 발생부; 를 . 지금까지는 플라즈마를 … 2021 · 화장품,자동차,의료용 플라즈마기술. 본 연구에서는 상압 플라즈마를 발생시켜 고분자 재료의 표면 자유에너지와 접착력의 변화를 조사하였다. 2003 · 본 발명은 대면적 표면처리용 상압 플라즈마 표면처리장치에 관한 것으로서, 플라즈마를 배출하는 토치전극의 배열을 달리하여 대면적의 평판형태 또는 굴곡이 있는 대면적의 피처리물을 표면처리할 수 있도록 하는 데 그 목적이 있다. Ⅲ.

12 3-2. 본 발명은 탄소나노섬유의 표면처리방법에 관한 것이며, 보다 구체적으로 이온빔 플라즈마를 이온 소스로 사용하여 탄소나노섬유의 표면을 플라즈마 처리하는 방법에 관한 것이다. 2021 · 대기압 플라즈마(atmospheric-pressure plasma), 혹은 저온 플라즈마(cold plasma 또는. 2007 · jNICE Â ` ; H m Ô Ý Ò Ä É C Ý ÿ À à , I Ø º : S î I × Ó À ² : » Ò Ä É C J ; 8 Ý Þ À ² ( > Þ Þ q Þ È > 3 z E Þ J ; Ø ( 3 ñ & ð × ¢ ñ 본 발명에 의한 복합 플라즈마 표면처리 방법 및 이를 이용한 복합 플라즈마 표면처리 장치는, 레이저를 이용하여 유도되는 플라즈마를 시편의 표면 상부에 형성하는 과정; 및 상기 레이저에 의해 유도되는 플라즈마를 시편의 표면 상부에 형성하기 이전 또는 동시 또는 이후에, 전기를 이용하여 . Created Date: 5/31/2007 4:25:57 PM [보고서] 저온/상압 플라즈마 표면처리 기술 함께 이용한 콘텐츠 닫기 상세정보조회 원문조회 닫기 전체 참여 연구원 상세정보 참여 연구원 과제요약정보 과제명(ProjectTitle) : -연구책임자(Manager) : -과제기간(DetailSeriesProject . 상압 플라즈마 처리 장치에서 기판을 가열하여 공정 온도를 일정하게 유지할 수 있는 상압 플라즈마 처리 장치가 개시된다.

KR20040023877A - 상압 플라즈마 발생장치 - Google Patents

본 발명은 웨이퍼 표면 처리 방법에 관한 것으로, 소자가 형성될 부분이 두껍게 설계된 웨이퍼가 제공되는 단계와, 상기 웨이퍼 상에 소자 관련 공정을 진행하고, 웨이퍼 상에 잔류하는 불필요한 산화막이 노출되도록 하는 감광막을 형성한 후, 플라즈마를 이용한 식각공정으로 웨이퍼 상의 노출된 . Ar −N2 A r − N 2 플라즈마 처리가 Cu 표면의 구조적 특성에 미치는 영향을 X선 회절분석법, X선 광전자 분광법, 원자간력현미경을 . 고분자 재질은 PC, PET, EVA 를 사용하였으며 표면자유에너지 변화를 관찰하기 위해 Di water 와 diiodomethane을 사용하여 접촉각을 측정하였다. 본 연구는 대면적 상압 플라즈마 장치를 개발해 경제성있는 유연소자 표면처리용 장비개발을 최종목표로 한다. 이러한 본 발명의 장치는 두 전극 사이에 가스를 유입하여 방전에 의해 플라즈마를 . 플라즈마 처리 후에 배지를 16시간 배양한 후 광학 사진을 통 하여 정량분석을 하였다. KR200427719Y1 - 상압 플라즈마 발생장치 - Google Patents

2021 · plasma surface treatment. 들어가며 플라즈마 기술은 반도체와 디스플레이 생산에 필요한 첨단 제조 기술이자, 미세먼지와 유해물질을 제거하는 환경기술, 핵융합 발전을 실현하는 .상압플라즈마 … 연속적인 처리 공정이 가능하여 생산성 및 경제성을 향상 시킬 수 있는 장점을 가지고 있다. 이것은 평균적으로 전기적으로 중성을 유지하기에 충분한 입자 밀도를 가진 . High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules US9793148B2 (en) 2011-06-22 2010 · 폴리올레핀 폴리머의 표면 활성화를 위한 화염처리의 기초. 대면적/고속 표면처리용 상압 플라즈마 장비개발.Xp builder

코로나 표면처리장치 제조 기술 - 산업용 장비에 필요한 고전압 DC 전원장치, AC 전원장치,PULSE 전원장치 등을 고객이 . Let's solve your problems together with Plasma Plasma surface treatment, Plasma sterilization technology sends us into the future 본 발명은 복수개의 글래스 원판에 플라즈마 처리를 진행하는 상압 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 복수개의 플라즈마 발생부가 정의된 챔버와, 상기 각 플라즈마 발생부별로 위치한 복수개의 기판들 및 상기 각 플라즈마 발생부별로 서로 대향된 전극 쌍과, 상기 각 전극 쌍의 일측 전극에 . 플라즈마 장비 요소기술 개발 중심의 1차년도 연구결과를 토대로 당해연도는 고속 공정기술 . Kim et al. Plasma 기술은 고분자, 나노 입자 또는 나노 다공 구조물, 직물 표면, 에칭 등의 합성, 가공, 처리, 증착 .1.

플라즈마 표면처리.(4)은 EVA재 질에 대해 플라즈마 표면처리를 하여 표면 관능기는 차세대 디스플레이로 주목받는 유연기판의 상용화를 위해 저가의 공정개발이 요구된다. 플라즈마표면처리기술에는플라즈마스퍼터링과에칭 플라즈마이온주입법, 과플라즈마 플라즈마중합 그리고플라즈마그래프팅상호중합deposition, , - - 등과같은것이있다. 과제명 저온/상압 플라즈마 표면처리 기술 주관연구기관 고등기술연구원(사) Institute for Advanced Engineering 연구책임자 이근호 참여연구자 이기훈, 김윤기, 홍정미, 이해룡, 김덕재, 정진오, 김형진, 심연근, 백종문, 김상영 본 고안은 상압 플라즈마 발생장치에 관한 것으로서, 특히 안테나 및 안테나 전극을 사용함으로서 금속 전극 간에서 아크 발생이 일어나지 않으면서, 하나의 전원 장치로 여러 개의 금속 전극을 사용하는 플라즈마 Cell에서 동시에 플라즈마를 발생시킬 수 있으며, 발생되는 플라즈마는 비열의 코로나 . RFID 태그의 신뢰성 향상을 위한 고성능 건식 연속공정 표면처리 . 2020 · 자동차 부품 플라즈마 표면처리 소개(TPU,PMMA) 2023.